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IEEE Transactions on Electron Devices 影响因子与历年IFoid

年度 文章数/年 5年平均分 非自引分 自引率% IFoid
2023 new 1084 2.8997 2.4002 17.2 2.8997
2022 1093 3.1000 2.6002 16.1 3.1000
2021 1129 3.2071 2.6430 17.9 3.2208
2020 878 2.9922 2.4369 16.5 2.9169
2019 802 2.7370 2.3841 18.2 2.9132
2018 789 2.7217 2.1723 19.7 2.7042
2017 759 2.7458 2.1149 19.3 2.6201
2016 737 2.8482 2.1278 18.3 2.6047
2015 633 2.3120 1.7510 20.7 2.2072
2014 629 2.5121 1.9999 19.1 2.4719
2013 616 2.3761 1.9071 19.1 2.3579
2012 520 2.2682 1.6988 17.6 2.0620
2011 591 2.4763 1.8459 20.4 2.3178
2010 454 2.3911 1.9340 14.7 2.2672
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IEEE Transactions on Electron Devices 期刊简介与审稿周期

期刊预警 非预警
期刊类别 SCIE    WOS官方核验
ISSN号 0018-9383
Open Access 6.38%
出版国家 美国
出版商 IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
出版周期 月刊
大/小类学科 工程、电气与电子 | 物理学、应用
JCR分区 Q2
中科院分区
中科院分区
升级版new
23年12月
升级版
22年12月
  • 综述:否
  • 大类:工程技术2区 
  • 小类:物理:应用2区 工程:电子与电气3区 
基础版
21年12月
  • 综述:否
  • 大类:工程技术3区
  • 小类:工程:电子与电气3区 物理:应用3区
升级版
21年12月
  • 综述:否
  • 大类:工程技术2区
  • 小类:工程:电子与电气3区 物理:应用2区
基础版
20年12月
  • 大类:工程技术2区
  • 小类:物理:应用2区 工程:电子与电气3区
升级版
20年12月
  • 大类:工程技术2区 Top
  • 小类:工程:电子与电气2区 物理:应用2区
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