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Microelectronic EngineeringSCIE 影响因子与历年IF

年度 文章数/年 5年平均分 非自引分 自引率% IF
2024 new 87 2.6002 3.1000 0.0 3.1000
2023 100 2.5000 2.5000 3.8 2.6002
2022 118 2.3000 2.2000 4.3 2.3000
2021 127 2.2021 2.5792 3.1 2.6619
2020 165 2.0800 2.4467 3.0 2.5232
2019 234 1.8690 2.1060 8.6 2.3052
2018 225 1.5260 1.5070 8.9 1.6539
2017 284 1.4610 1.8850 6.7 2.0200
2016 334 1.4151 1.6949 6.1 1.8060
2015 423 1.1930 1.1451 10.3 1.2769
2014 410 1.2950 1.0930 8.7 1.1971
2013 557 1.3821 1.2029 10.1 1.3379
2012 486 1.2829 1.1161 8.8 1.2240
2011 762 1.4948 1.3068 16.1 1.5569
2010 552 1.5412 1.3970 11.3 1.5751
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Microelectronic EngineeringSCIE 影响因子与历年IF

期刊预警 非预警 期刊类别 SCIE     WOS官方核验
ISSN号 0167-9317 Open Access 15.94%
出版国家 荷兰 出版商 ELSEVIER
出版周期 月刊 JCR分区 Q2/Q3
大/小类学科 工程、电气与电子 | 纳米科学与纳米技术 | 光学 | 物理学、应用
中科院分区
中科院分区
升级版new
25年3月
升级版
23年12月
升级版
22年12月
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基础版
21年12月
  • 综述:否
  • 大类: 工程技术 4区
  • 小类: 工程:电子与电气 4区 纳米科技 4区 光学 4区 物理:应用 4区
升级版
21年12月
  • 综述:否
  • 大类: 工程技术 3区
  • 小类: 工程:电子与电气 4区 纳米科技 4区 光学 3区 物理:应用 3区
基础版
20年12月
  • 大类: 工程技术 3区
  • 小类: 工程:电子与电气 4区 物理:应用 3区 光学 3区 纳米科技 4区
升级版
20年12月
  • 大类: 工程技术 3区
  • 小类: 工程:电子与电气 3区 纳米科技 3区 光学 3区 物理:应用 3区
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