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IEEE Transactions on Device and Materials ReliabilitySCIE 影响因子与历年IF

年度 文章数/年 5年平均分 非自引分 自引率% IF
2024 new 74 2.2000 2.2000 4.3 2.3000
2023 72 2.1001 2.4002 4.0 2.5000
2022 56 1.9999 1.9002 5.0 1.9999
2021 80 2.0238 1.7558 6.9 1.8859
2020 92 1.7768 1.6439 6.6 1.7610
2019 101 1.5181 1.2940 8.0 1.4072
2018 79 1.6632 1.5078 4.7 1.5828
2017 98 1.7189 1.3408 11.3 1.5122
2016 89 1.7228 1.4648 7.0 1.5751
2015 81 1.5181 1.2861 10.5 1.4372
2014 147 1.8878 1.5751 16.7 1.8901
2013 66 1.6958 1.4629 5.2 1.5440
2012 80 1.7602 1.3332 12.1 1.5161
2011 67 1.6729 1.3390 13.2 1.5428
2010 59 1.6260 1.4030 6.7 1.5031
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IEEE Transactions on Device and Materials ReliabilitySCIE 影响因子与历年IF

期刊预警 非预警 期刊类别 SCIE     WOS官方核验
ISSN号 1530-4388 Open Access 24.52%
出版国家 美国 出版商 IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
出版周期 季刊 JCR分区 Q2
大/小类学科 工程、电气与电子 | 物理学、应用
中科院分区
中科院分区
升级版new
25年3月
升级版
23年12月
升级版
22年12月
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  • 综述:否
  • 大类: 工程技术 3区
  • 小类: 物理:应用 3区 工程:电子与电气 3区
基础版
21年12月
  • 综述:否
  • 大类: 工程技术 4区
  • 小类: 工程:电子与电气 4区 物理:应用 4区
升级版
21年12月
  • 综述:否
  • 大类: 工程技术 3区
  • 小类: 工程:电子与电气 3区 物理:应用 3区
基础版
20年12月
  • 大类: 工程技术 3区
  • 小类: 物理:应用 3区 工程:电子与电气 3区
升级版
20年12月
  • 大类: 工程技术 3区
  • 小类: 工程:电子与电气 4区 物理:应用 3区
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