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Microelectronics ReliabilitySCIE 影响因子与历年IF

年度 文章数/年 5年平均分 非自引分 自引率% IF
2024 new 176 1.7998 1.7001 10.5 1.9002
2023 310 1.6000 1.4000 12.5 1.6000
2022 329 1.7001 1.4000 12.5 1.6000
2021 355 1.6339 1.2151 14.3 1.4181
2020 344 1.5710 1.3401 15.7 1.5889
2019 316 1.4030 1.3500 12.1 1.5348
2018 526 1.4471 1.1910 19.7 1.4831
2017 403 1.4660 1.0060 18.6 1.2361
2016 419 1.6231 1.1271 17.8 1.3710
2015 413 1.2851 0.9320 22.5 1.2018
2014 422 1.3361 1.1890 17.0 1.4330
2013 315 1.2059 1.0051 17.2 1.2141
2012 458 1.2012 0.8710 23.4 1.1369
2011 374 1.2120 0.8900 23.7 1.1669
2010 341 1.0531 0.8740 20.6 1.1010
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Microelectronics ReliabilitySCIE 影响因子与历年IF

期刊预警 非预警 期刊类别 SCIE     WOS官方核验
ISSN号 0026-2714 Open Access 14.36%
出版国家 英国 出版商 PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
出版周期 月刊 JCR分区 Q3/Q4
大/小类学科 工程、电气与电子 | 纳米科学与纳米技术 | 物理学、应用
中科院分区
中科院分区
升级版new
25年3月
升级版
23年12月
升级版
22年12月
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21年12月
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  • 大类: 工程技术 4区
  • 小类: 工程:电子与电气 4区 纳米科技 4区 物理:应用 4区
升级版
21年12月
  • 综述:否
  • 大类: 工程技术 4区
  • 小类: 工程:电子与电气 4区 纳米科技 4区 物理:应用 4区
基础版
20年12月
  • 大类: 工程技术 4区
  • 小类: 工程:电子与电气 4区 纳米科技 4区 物理:应用 4区
升级版
20年12月
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  • 小类: 工程:电子与电气 4区 纳米科技 4区 物理:应用 4区
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